BJT與FET小信號模型及放大器電路分析

📝 歷屆考古題

• 113年 地特四等申論題 第一題
  如圖 1 所示之電路，若 BJT 之 β = 100，RB = 480 kΩ，RC = 2 kΩ，RE = 1 kΩ，基-射極電壓 VBE = 0.7 V，則 Vo 為多少？（25 分）
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• 113年 地特四等申論題 第二題
  如圖 2 所示之 JFET 電晶體電路，該電晶體截止電壓 VGS(off) = -5 V，若直流閘源極電壓 VGS = -4 V，ID = 0.425 mA，則 R1/R2 為何？（25 分）
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• 110年 地特四等申論題 第一題
  當射極電流和集極電壓分別為0.5mA和5V時,請求RE和RC值。
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• 110年 地特四等申論題 第一題
  請畫出三輸入 NAND 閘的CMOS電路。(10分)
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• 110年 地特四等申論題 第二題
  當 R₁=10kΩ,且爾利電壓(Early voltage) V₁=99V時,請畫出放大器的小信號π型等效電路,並求整體的電壓增益。
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• 110年 地特四等申論題 第二題
  請畫出圖五中 PDN 相對應的PUN電路,然後畫出完整的CMOS 邏輯電路。又此電路所實現的布林函數為何?(10分)
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• 108年 地特四等申論題 第五題
  一個 4Mbits 記憶體晶片，製作時分成 32 個區塊（blocks），每個區塊有 1024 列（rows），128 行（columns），請計算列位址（rows address），行位址（colu…
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• 107年 地特四等申論題 第二題
  二、如圖二所示的電路。試分析各節點電壓及流經各元件的電流。其中 Rb1=100 kΩ、Rb2=50 kΩ、Rc1=5 kΩ、Re=3 kΩ、Re2=2 kΩ、Rc2=2.7 kΩ，假設所有電晶體共射極…
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• 106年 地特四等申論題 第一題
  計算輸入電阻Rin及輸出電阻Rout 。（10 分）
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• 106年 地特四等申論題 第一題
  請說明開迴路（open loop）電路分析。（10 分）
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• 106年 地特四等申論題 第二題
  計算整體電壓增益 Vout / Vsig 。（10 分）
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• 106年 地特四等申論題 第二題
  求出此電路的小訊號增益 v out Vin A = V / 。（5 分）
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• 106年 地特四等申論題 第三題
  求出此電路的輸出電阻Rout 。（5 分）
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• 106年 地特四等申論題 第五題
  五、在 CMOS 半導體製程中，請用電晶體 PMOS 和 NMOS 來設計一個三輸入的反或閘（NOR）邏輯電路；並說明對於此邏輯電路的 NMOS 和 PMOS 尺寸（W/L）的設計考量。（20 分）（…
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• 105年 地特四等申論題 第五題
  一個 n-p-n BJT 電晶體,其ic-VBE特性為 ic = Is (exp(VBE/VT)-1);其中 Is = 10-14 A,VT = 25 mV。求電晶體在 VBE = 0.7 V 時的小…
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